电磁兼容测试场地与设备-半电波暗室的主要指标1
半电波暗室在建设完成后，整个场地和技术性能需要符合CISPR16标准要求。在屏蔽体建设完成，安装吸波材料或其他装修前，完成屏蔽效能的测试。在整个电波半暗室完成后，完成归一化场地衰减(NSA)、场地电压驻波比（SVSWR）、测试面场均匀性（FU）和场地背景噪声的测试。所有以上测试项目必须由第三方检测机构进行。
（1）屏蔽效能
半电波暗室金属壳体的屏蔽性能用屏蔽效能来衡量。屏蔽效能是模拟干扰源置于屏蔽壳体外时，屏蔽体安装前后的电场强度、磁场强度或功率的比值。暗室的屏蔽效果的好坏不仅与屏蔽材料的性能有关，也与壳体上可能存在的各种不连续的形状和孔洞以及安装工艺有很大关系。
例如屏蔽门是暗室的主要进出口，需要经常开启，所以门缝是影响屏蔽效能的重要部位。现在一般采用来改善门与门框的电气接触。两层以上的结构，可以使门缝处的泄漏降到满足较高屏蔽效能要求的状态。
暗室的屏蔽效能应当适当，并非越高越好，要从费用价格比考虑。对于新建的暗室，在正式安装内部材料前，必须严格按照GB12190关于屏蔽室屏蔽效能测量方法严格测量和检漏，重点对可能造成屏蔽效能降低的缝隙、出入口、通风波导、AP板等部位进行检测，如果发现不合格应当及时修补。
以下是常规半电波暗室的屏蔽效能要求。
表3-5 常规半电波暗室的屏蔽性能
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频率 |
衰减量 |
场源 |
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10 kHz |
≥70dB |
磁场 |
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10 kHz |
≥100dB |
电场 |
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100 kHz |
≥100dB |
磁场 |
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100 kHz |
≥100dB |
电场 |
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1MHz |
≥100dB |
磁场 |
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1MHz |
≥110dB |
电场 |
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100MHz |
≥110dB |
平面波 |
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400MHz |
≥110dB |
平面波 |
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＜1GHz |
≥100dB |
平面波 |
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＞1GHz |
≥100dB |
微波 |
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10GHz |
≥100dB |
微波 |
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18GHz |
≥100dB |
微波 |
（2）归一化场地衰减
场地衰减是测量用场地的一个固有参数，场地衰减与地面的不平度、地面的电参数、周围环境、收发天线之间的距离、天线类型和极化方向、收发天线端口的阻抗等有关。场地衰减定义为：输入到发射天线上的功率与接收天线负载上所获得的功率之比。
半电波暗室场地衰减的测试是在开阔测试场场地衰减测试的基础上进行的。根据CISPR22对半电波暗室这个模拟开阔场的NSA测量作了如下规定：
① 用双锥天线和对数周期天线等宽带天线进行测量，而不用调谐偶极子天线。估计是前者低频端几何尺寸较后者为小，又便于扫频测试之故。
② 考虑到EUT具有一定体积，设备上各点与周边吸波材料距离不同，应对EUT所占空间进行多点NSA测量。具体是在发射天线所处中心位置及前、后、左、右各移动0.75m等5个点，以及发射天线在不同高度(垂直极化时1m和1.5m，水平极化时1m和2m)下进行。因此总共要进行20种组合情况下的NSA测量，包括5个位置、2个高度、2种极化。
CISPR 22给出了使用宽带天线和推荐尺寸的半电波暗室归一化场地衰减标准值。天线布置如图3-45和图3-46所示。
ANCI标准还准许在下列情况下，将检测点减少至8点：当EUT高度≤1.5m时，可省略高度1.5m的垂直极化检测点；倘若天线水平极化放置时，其投影可覆盖EUT直径的90%，则可省略左右两个检测点，如EUT后沿与吸波材料间距≥1m，则后面的测试点可略去。
测量结果与相应标准中的归一化场地衰减值比较，若误差在±4dB以内，则认为其NSA指标合格，可以在暗室中进行电磁辐射干扰和辐射敏感度的认证检测。
归一化场地衰减只用来表明测试场地的性能，与天线或测量仪器并没有多大的关系，是衡量测试场地性能的重要指标之一。信号从发射源传输到接收机时，由于场地影响所产生的损耗为NSA，它反映了场地对电磁波传播的影响。半电波暗室是为模拟开阔场地而建造的，暗室中的NSA应和开阔场相一致，CISPR16-1和其他相关标准要求：在30MHz～18GHz频率范围内，当测量的垂直与水平的NSA值在归一化场地衰减理论值的±4dB之内，则测试场地被认为是合格的，可以在暗室中进行电磁辐射干扰的检测。
实践中，通常NSA在水平极化时对测试几何条件的变化不像垂直极化时那样敏感，测值比较容易落入理论值的±4dB范围，建议先测试。如果出现较大偏差，则应首先排出由于仪器、天线系数、测量方法带来的问题。如仍不符合要求，则再用垂直极化测试来确定不规范点，以此分析暗室的结构布置是否存在问题。